技术文章
摘要
本文介绍了用于SiP器件制造的一组材料，该组材料在经过260℃同流后性能仍可达JEDEC3级标准的规定。
出处
《集成电路应用》
2007年第4期5-5,共1页
Application of IC
-
1技术文章[J].集成电路应用,2007,24(6):5-5.
-
2冯伯儒.激光在微电子器件制造中的应用[J].光电工程,1991,18(5):48-62. 被引量：3
-
3黄印权.激光在微电子器件制造中的应用[J].红外与激光技术,1991,20(3):1-5. 被引量：1
-
4刘恩荣.光学光刻在军事微电子器件制造中的作用和地位[J].电子工业专用设备,1992,21(3):8-12.
-
5范才有.高速双极器件制造中的离子注入技术[J].微电子学,1993,23(1):15-18.
-
6曾冬冬.OFDM调制方法综述[J].现代电视技术,2003(7):103-105.
-
7《家庭影院技术》杂志、THX公司、ISF影像协会、PMI、影音中国网站联合举办 AV Q&A影音问答[J].家庭影院技术,2011(5):80-81.
-
8Alain Stas.选择NTC器件制造快速充电设备[J].电子设计应用,2007(2):90-91.
-
9赵威.硅基拉曼放大器的研究进展[J].大观周刊,2012(43):200-200.
