不改变光刻波长实现45nm半节距
摘要
最近的两年多以来．65nm半节距（HP）光刻．传统上叫做45nm节点．在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案．然而大多数逻辑和存储器公司最终决定．在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和／或一些双重硬掩膜方法。
出处
《集成电路应用》
2007年第4期38-42,共5页
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