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摘要
AIXTRON:立足MOCVD,积极拓展硅半导体市场;Asymtek:底部填充技术助力高密度封装;
出处
《集成电路应用》
2007年第5期16-17,共2页
Application of IC
关键词
供应商
MOCVD
半导体市场
高密度封装
填充技术
底部
硅
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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洪雷萍,白水.
0.25μm结构多层布线互连的间隙填充技术[J]
.微电子技术,1994,22(3):64-66.
2
余成昇,许高斌,陈兴,马渊明,展明浩.
高深宽比的TSV制作与填充技术[J]
.真空科学与技术学报,2016,36(1):93-97.
被引量:4
3
韦双,喻波.
底部填充技术在印制电路板组装中的应用[J]
.现代工业经济和信息化,2015,5(21):49-50.
被引量:4
4
丁卫华.
MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用[J]
.集成电路应用,2007,24(10):55-56.
被引量:1
5
杨昕,张斌珍,南雪莉,崔建利,王万军.
采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列[J]
.科学技术与工程,2017,17(2):230-233.
6
蔡积庆(译).
导通孔电镀铜填充技术[J]
.印制电路信息,2012(5):28-32.
被引量:2
7
电磁兼容性与电磁无意干扰[J]
.电子科技文摘,2000(1):54-54.
8
林菲,珍花.
无引脚的封装[J]
.电子产品世界,2005,12(01A):60-60.
9
编码理论、信道理论与技术、编译码器[J]
.电子科技文摘,2001,0(9):32-36.
10
刘新宇.
“毫米波GaN功率器件和电路研究”2013年度报告[J]
.科技创新导报,2016,13(2):172-173.
集成电路应用
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