高k和金属栅——45nm的起点

在被称作“40年来电脑芯片的最大变化“的新闻发布中．Intel宣布将45nm节点的生产中引入铪基（hafnium—based）高k栅电介质和金属栅电极。在Intet之后，IBM也很快发布一个类似的通告。高k栅电介质在两个方面优于现在使用的氮氧化硅较小的栅泄漏电流和较大的驱动电流。它还可以使未来的器件能够进一步地等比例缩小，因为常规的电介质已经相当薄．厚度只有约5个原子。据估计，几乎一半的芯片功耗是由穿透薄层电介质的泄漏电流所引起的。