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4兆位FRAM采用130nm工艺生产

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摘要 Ramtron公司采用了德州仪器的130nm铜互连工艺,可以按照0.71um的商用FRAM单元规格提供4兆位FRAM。该工艺使用了创新的COP(capacitor-overplug)技术,将非易失性电容直接堆放在W型插入晶体管触点之上。
出处 《电子设计技术 EDN CHINA》 2007年第5期28-28,共1页 EDN CHINA
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