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氢化硅基非晶体半导体效应与吸收肩的氢键解释

The hydrogen bond model in amorphour semiconduct for explaning Staeber-Wronski effect and Franz-Keldish effect
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摘要 报导了非晶体半导体中的氢键模型,并满意地用该模型解释了氢化硅基非晶半导体的Staeber-Wronski效应和吸收边展宽之"肩"。 In this paper, we propose the hydrogen bond model and explane both the photoninduced metastable effects and the shoulder on the absorb edge.
作者 苏辉 邹永庆
出处 《半导体杂志》 1997年第1期17-19,共3页
关键词 非晶态半导体 光电特性 氢键模型 amorphour semiconduct, photoelectric property, hydrogen bond model
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