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用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜

DEPOSITION OF Si_3N_4 THIN FILM ON STEELS BY DC-PCVD DEVICE
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摘要 控制工艺参数,用直流等离于化学气相沉积(DCPCVD)装置,对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Si3N4非晶态薄膜,并研究了薄膜的成分、结构。 Si3N4 thin film has been deposited on the matrixes of carbon steels, alloy structure steels, speed steels and stainless steels by using a direct current plasma chemical vapor deposition (DC-PCVD) device under controlling processing parameters. Component,structure, morphology and hardness of the film were measured. This thin film consists mainly of the component of Si3N4 with amorphous structure.
机构地区 西南交通大学
出处 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期320-324,共5页 Acta Metallurgica Sinica
基金 国家自然科学基金
关键词 化学气相沉积 氮化硅薄膜 DC-PCVD装置 steel, Si_3N_4 film, DC-PCVD
  • 相关文献

参考文献5

  • 1吴大兴,硅酸盐学报,1992年,20卷,248页
  • 2王建祺,电子能谱学引论,1992年,2页
  • 3王一禾,非晶态合金,1989年,124页
  • 4钱钧,新型无机硅化合物.基础与应用(译),1989年,12页
  • 5甄汉生,薄膜科学与技术,1988年,1卷,1期,10页

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