华灿光电成功研制新型蓝绿光LED芯片

Huacan Optoelectronic Successfully Developed New Type Blue-Green Light LED Chip

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摘要武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外延片，实现了GaN外延片的批量生产。一般在蓝宝石上制造的蓝绿光LED芯片，由于其单向导电，所以抗静电性能差。公司在提高器件ESD水平上投入了大量的人物力研发，

机构地区《中国照明》编辑部

出处《中国照明》 2007年第5期126-126,共1页 China Illuminrtion

关键词绿光LED 芯片光电优化结构设计绿色发光二极管分子束外延抗静电性能沉积工艺

分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]

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