期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
SEU的抑制
下载PDF
职称材料
导出
摘要
随着工艺技术的迅速发展,创新进一步提高了器件在速率、容量和功耗等方面的性能,使得FPGA比ASIC更具优势。然而,技术的发展也突出了以前可以忽略的某些效应,例如,单事件干扰(SEU)导致的软误码影响越来越大。通过仔细的IC设计,65nm节点单位比特的软误码率有所下降,但是每一工艺节点的逻辑容量在不断翻倍,配置RAM(CRAM)比特数量也随之增长。
机构地区
Altera公司
出处
《电子产品世界》
2007年第C00期24-27,共4页
Electronic Engineering & Product World
关键词
SEU
ASIC
FPGA
IC设计
误码率
比特数
单事件
技术
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
2
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
参考文献
2
1
Stratix Ⅲ器件手册第四章:设计安全性以及降低单事件干扰(SEU)www.altera.com/literature/hb/stx3/stx3_siii5v1_04.pdf
2
AN357:利用Altera FPGA的CRC实现误码探测和纠正www.altera.com/literature/an/an357.pdf
1
联电成功为Xilinx试产65nm制程FPGA芯片[J]
.微纳电子技术,2006,43(12):600-600.
2
Zhang Zhangang Liu Jie Hou Mingdong Sun Youmei Su Hong Duan Jinglai Mo Dan Yao Huijun Luo Jie Geng Chao Gu Song.
Device-orientation Effects on Multiple-cell Upset Response[J]
.IMP & HIRFL Annual Report,2011(1):91-91.
3
赵振宇,李俊丰,张民选,李少青.
Modeling and analysis of single-event transients in charge pumps[J]
.Journal of Semiconductors,2009,30(5):86-90.
4
毕津顺,曾传滨,高林春,刘刚,罗家俊,韩郑生.
Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET[J]
.Chinese Physics B,2014,23(8):631-635.
被引量:6
5
CHEN JianJun,CHEN ShuMing,LIANG Bin,LIU FanYu.
Single event transient pulse attenuation effect in three-transistor inverter chain[J]
.Science China(Technological Sciences),2012,55(4):867-871.
被引量:4
6
QIN JunRui,CHEN ShuMing,LIU BiWei,CHEN JianJun,LIANG Bin,LIU Zheng.
Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology[J]
.Science China(Technological Sciences),2011,54(11):3064-3069.
被引量:14
7
赵振宇,张民选,陈书明,陈吉华,李俊丰.
A radiation-hardened-by-design technique for improving single-event transient tolerance of charge pumps in PLLs[J]
.Journal of Semiconductors,2009,30(12):108-112.
被引量:2
8
李丽,邱天爽.
双基地MIMO雷达收发角和多普勒频率参数的联合估计方法[J]
.电子学报,2013,41(12):2462-2467.
被引量:4
9
唐昭焕,胡刚毅,陈光炳,谭开洲,刘勇,罗俊,徐学良.
A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS[J]
.Journal of Semiconductors,2012,33(4):38-41.
被引量:1
10
凌力尔特公司推出一款精准时功率检波器[J]
.电子质量,2010(12):62-62.
电子产品世界
2007年 第C00期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部