非极性氮化镓发光二极管功率再创新高

加州大学圣巴巴拉分校的研究小组研制的InGaN多量子阱结构LED在20mA电流驱动下。输出功率达到28mw，峰值波长402nm，相当于45．4％的外量子效率。可贵的是，即使在更大电流情况下转换效率依然能够维持，驱动电流200mA时，输出功率高达250mW。