摘要
金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能，被认为是大功率、高瞻及恶劣环境下使用的电子元件的理想材料．在金...
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期127-127,共1页
Acta Electronica Sinica
基金
自然科学基金
关键词
半导体
金刚石薄膜
金属-半导体
接触
Power factor corrention, Sliding mode control, Current distortion, Switching converter
