摘要
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
InN is one of the Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor material with good properties. It is very valuable in the field of opto-electronics. In this paper, the newest progress in investigations on electronic and optical properties of InN-based material and optoelectronic devices and their applications are summarized.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期16-20,共5页
Materials Reports
基金
国家自然科学基金(50602018)
广东省自然科学基金(06025083)
广东省科技攻关计划(2006A10802001)
广州市科技攻关重大项目(2005Z1-D0071)资助项目
关键词
INN
特性
应用
进展
InN, properties, applications, progress
