摘要
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀.初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
The grown-in oxygen precipitates in conventional Czochralski （CZ） silicon and nitrogen-doped Czochralski （NCZ） silicon have been investigated by means of transmission electron microscopy （TEM）. Tiny oxygen precipitates about 5 nm in size were observed in the NCZ specimens. It is believed that the oxygen precipitates may have grown from the heterogeneous nuclei of nitrogen-related complexes formed at a low temperature of 650℃.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期4113-4116,共4页
Acta Physica Sinica
基金
厦门大学科研启动经费(批准号:0000-X07157)
国家自然科学基金(批准号:50572094)
福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(批准号:0000-X07201)资助的课题.~~
关键词
直拉硅
透射电镜
氧沉淀
silicon, transmission electron microscopy, oxygen precipitate
