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2.4GHz 0.18μm CMOS低噪声放大器分析与设计

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摘要 基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW。
出处 《电子技术应用》 北大核心 2007年第7期55-57,共3页 Application of Electronic Technique
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