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用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究

RESEARCH ON C-V PROPERTY OF MIS STRUCTURE ARE DONE BY L-B FILM
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摘要 测定了多种具有金属/L-B膜绝缘层/半导体(Si)结构的纳米厚度有机功能膜的C-V特性.研究发现C-V特性受到L-B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响. C-V property of organic function am is measured for some kinds of laminanted-layer structure of metal. L-B film insulation layer and semiconductor with nanometer thickness. It is found that C-V property is aff ected by molecular-organization composition and oxygenated film thickness.
出处 《佳木斯工学院学报》 CAS 1997年第2期109-114,共6页
基金 省教委科研基金
关键词 L-B膜 MIS结构 C-V特性 半导体器件 L-B film,metal/L-B film/Si laminated-layer structure,C-V property
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