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FLOTOX-E^2PROM阈值电压的研究
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摘要
本文讨论了理想情况下FLOTOX结构E2PROM在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化,并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。
作者
熊大菁
机构地区
清华大学微电子所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期20-24,共5页
Semiconductor Technology
关键词
FLOTOX
存储器
电可擦写存储器
阈值电压
分类号
TP333.02 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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半导体技术
1997年 第3期
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