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FLOTOX-E^2PROM阈值电压的研究

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摘要 本文讨论了理想情况下FLOTOX结构E2PROM在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化,并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。
作者 熊大菁
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期20-24,共5页 Semiconductor Technology
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