穿越碲镉汞上PC-SiO_2膜的硼离子注入

变温霍耳测量和电阻率测量,已被用于监测硼元素穿透p型碲镉汞材料上光化学生成的SiO_2薄膜后对其载流子行为的影响,证明形成了n型层。借助于新的中子深度分布测量法已经定量地、非破坏性地测得B^(10)的绝对浓度和分布情况。正如所预期的那样,硼元素在SiO_2和Hg_(1-x)Cd_xTe中的分布强烈地依赖于离子注入的能量。然而,人们发现经200℃退火后硼元素分布的改变是很小的。本文简要地谈到采用通常离子注入方法所制成的中红外(MWIR)探测器的性能。