山东大学大直径SiC单晶研究获突破

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摘要山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶，2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用（epi-ready）”的水平，与合作单位在SiC衬底上制备的微波GaN／AlGaNHEMT器件的输出功率密度达到5．5W／mm的水平，这是国产SiC半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，

出处《现代材料动态》 2007年第7期21-22,共2页 Information of Advanced Materials

关键词 SIC单晶山东大学大直径 HEMT器件国家重点实验室 ALGAN 绝缘衬底微波特性

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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