期刊文献+

P〈111〉硅磨片表面损伤的研究 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 P〈111〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远(北京有色金属研究总院,北京100088)关键词:硅片损伤层位错1引言自50年代中期以来,一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度,性质及其在高温工艺过程中的变化等工作...
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期139-143,共5页 Chinese Journal of Rare Metals
  • 相关文献

同被引文献37

  • 1陈海滨,周旗钢,万关良,肖清华.300mm双面磨削硅片损伤层厚度检测[J].稀有金属,2006,30(z1):50-54. 被引量:3
  • 2田业冰,郭东明,康仁科,金洙吉.大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2004,24(4):1-4. 被引量:11
  • 3张银霞.单晶硅片超精密加工表面\亚表面损伤检测技术[J].电子质量,2004(7):72-75. 被引量:15
  • 4姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰.磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤[J].红外技术,1994,16(5):15-20. 被引量:8
  • 5彭晶,包生祥,马丽丽.单晶表面加工损伤的评价方法[J].材料导报,2006,20(9):101-104. 被引量:4
  • 6Kanaya M, Yashiro H, Ohtani N, et al. Characterization of mechanically polished surfaces of single crystalline 6H-SiCI[J]. Mater Sci Forum, 1998,264(1):359
  • 7Yamada Takahiro. Investigation of surface damage in Si exposed to Ar plasma by spectroscopic ellipsometry and grazing X-ray diffraction [J]. Japanese J Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Rev Papers, 2005,44(1A) : 67
  • 8Black David. Strength-limiting surface damage in singlecrystal sapphire imaged by X-ray topography [J]. J Am Ceram Soc,2001,84(10) : 2351
  • 9Alves E, DaSilva M F, Soares J C, et al. RBS lattice site location and damage recovery studies in GaN [J]. MRS Internet J Nitride Semiconductor Res, 1999,4 (1) : 7
  • 10Ding F R, He W, Vantomme A, et al. Zn channeled implantation in GaN: damages investigated by using high resolution XTEM and channeling RBS [J]. Mater Sci Eng B:Solid-State Mater Adv Techn, 2003,98 (1) : 70

引证文献3

二级引证文献4

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部