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东芝开发出采用三维结构的NAND闪存技术

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摘要东芝为面向NAND闪存未来的大容量化，日前开发出在层叠电极上垂直贯通柱状进行高密度排列元件的三维存储单元阵列技术。

出处《集成电路应用》 2007年第7期21-21,共1页 Application of IC

关键词 NAND闪存三维结构闪存技术开发东芝大容量化阵列技术存储单元

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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集成电路应用

2007年第7期

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