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一种新型 MOS 控制功率器件
被引量:
2
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摘要
介绍了一种被称为MBMT的MOS控制功率器件,它的制造工艺类似于一个功率MOS的制造工艺,其材料是在n+衬底上生长n-外延层。该器件被设计为常开器件,当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。该器件具有导通电阻低、开关速度快、导通电流密度大的优点,是一种发展前途较大的大电流、高效率开关器件。
作者
弓小武
樊昌信
刘玉书
机构地区
西安电子科技大学
西安微电子研究所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1997年第2期88-90,108,共4页
Power Electronics
基金
国家重点实验室资助
关键词
MOS器件
半导体器件
双极型晶体管
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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电力电子技术
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