一种新型 MOS 控制功率器件

介绍了一种被称为ＭＢＭＴ的ＭＯＳ控制功率器件，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。该器件具有导通电阻低、开关速度快、导通电流密度大的优点，是一种发展前途较大的大电流、高效率开关器件。