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MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

Calculating Ge Distribution in Si_(1-x)Ge_x/Si MQW Structure Grown by MBE
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摘要 根据MBE实际生长条件,采用在应变Si1-xGex/SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数,用生长过程的移动边界条件,求解了Ge在Si1-xGex/SiMQW中的扩散方程,模拟出了MQW的畸变,指出了这种畸变具有固定的不对称性,并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW的畸变. The profile of Ge in Si1-xGex/Si MQW grown by MBE is emulated by solvingthe diffusion equation under moving boundary condition simulating the growing process.Some profiles under different growth-temperature, strains and well-width are given anddiscussed. The given profiles with unsymmetry clearly show that the structures of SiGe/Si MQW are distorted by the diffusion of Ge during the growing process.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期561-567,共7页 半导体学报(英文版)
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参考文献3

  • 1Chen W M,Appl Phys Lett,1996年,68卷,1256页
  • 2王启明,物理学进展,1996年,16卷,75页
  • 3Chang S J,Appl Phys Lett,1989年,54卷,1253页

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