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用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能 被引量:7

The Test of Ohmic Contact Quality for Metal/Thin Layer or Super Thin Semiconductor Layer by Adding and Taking Disc
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摘要 在平面型器件和备种新型微电子器件中,金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能.本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能.由电势叠加原理导出了理论公式.此法样品制备简单,无需台面绝缘,由于接触结构的特点,自然免除了侧向电流聚集效应,从而提高了精度.若将接触结构稍加发展,则更为简捷实用.实验结大果与文献报道的其它方法符合得很好.
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期33-36,共4页 Acta Electronica Sinica
  • 相关文献

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同被引文献70

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引证文献7

二级引证文献26

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