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京大等三家开发成功SiC外延膜量产技术

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摘要京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，

出处《现代材料动态》 2007年第8期22-23,共2页 Information of Advanced Materials

关键词量产技术 SIC 外延膜功率半导体开发京都大学统一处理导热系数

分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]

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现代材料动态

2007年第8期

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