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45nm节点清洗/光刻胶去除的挑战

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摘要 在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议(SurfacePreparationandClean—ingConference.SPCC)上,来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括:在微粒去除和损伤之间取得平衡;尽可能地减小在前段工艺(FEOL)应用中光刻胶去除和清洗所造成的硅损失:金属栅叠层的电化腐蚀问题;
作者 Peter Singer
出处 《集成电路应用》 2007年第8期24-24,共1页 Application of IC
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