金属铝刻蚀工艺简介被引量：3

下载PDF

导出

摘要在集成电路的制造过程中．刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分．刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀，可以严格控制纵向和横向刻蚀。

作者唐晓多

机构地区应用材料(中国)有限公司

出处《集成电路应用》 2007年第8期52-52,共1页 Application of IC

关键词刻蚀工艺金属铝各向异性刻蚀表面去除物理方法制造过程集成电路干法刻蚀

同被引文献19

1宋颖娉,郭霞,艾伟伟,董立闽,沈光地.Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究[J].微纳电子技术,2006,43(3):125-129. 被引量：7
2厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M].北京:人民教育出版社,1977..
3MichaelQuirk JulianSerda(美).半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2004..
4张海波.等离子体电子工程学[M].北京：科学出版社,2002..
5藤森敬三,欧福贤.铝刻蚀技术及其装置[J].半导体情报,1976(09):38-44.
6Morimoto M,Orihara K, Mutoh N, et al. A 1 inch 2-M pixelHDTV CCD image sensor with tungsten photo-shield and H-CCD shunt wiring[J]. IEEE Trans. Electron Devices, 1995,42(1): 50-57.
7Toyoda A,Suzuki Y, Orihara K,et al. A novel tungsten light-shield structure for high-density CCD image sensors[J]. IEEETrans. Electron Devices,1991,38(5) : 965-968.
8TonotaniJ, Iwamoto T, Sato F, et al Dry etchingcharacteristics of TiN film using Ar/CHF1,Ar/CI21 andAr/BCl3 gas chemistries in an inductively coupled plasma[J].J. Vacuum Science Technol. B, 2003, 21(5) :2163-2168.
9Zhang Haibo,Zhang Dan, translate. Plasma ElectronicEngineering[M]. Beijing: Science Press, 2002.
10Duffalo J M.Monkowski J R. Particulate contamination anddevice performance[J]. Solide State Technol.,1984, 27(3):109-114.

集成电路应用

2007年第8期

内容加载中请稍等...