集成充电和电源开关解决方案

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摘要 NUS3116集成了主电源开关-12V、-6．2A的μCO01单P沟道MOSFET，处理主电池开关功能；还集成了两个内部低饱和PNP晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏一源极导通阻抗（RDS（ON））为40m。而两个低Vce（sat）晶体管为高达2A的充电电流提供良好的热性能，

出处《今日电子》 2007年第9期106-106,共1页 Electronic Products

关键词电源开关充电功能集成 P沟道MOSFET PNP晶体管开关功能导通阻抗充电电流

分类号 TN949.7 [电子电信—信号与信息处理]

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