海力士DRAM产品获得ISi的Z-RAM存锗技术授权

2007年8月13日，Z-RAM。高密度存储知识产权（IV）开发商Innovative Silicon Inc（ISi）与海力士（Hynix）半导体有限公司宣布，海力士已经同意在其动态随机存储器芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。