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第一性原理研究氧化锌晶体的电子结构和光学性质 被引量:18

First-principle Study on the Electronic Structures and the Optical Properties for the Perfect ZnO Single Crystal
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摘要 为了研究氧化锌晶体的光学性质,本文采用密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)下的平面波赝势法计算了氧化锌晶体的电子结构、复数折射率、介电函数、光电导谱和吸收光谱。介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等它们的峰值位置存在一一对应关系,这表明了它们之间存在着内在的联系,它们都与电子从价带到导带的跃迁吸收有关,这为从物理本质上理解氧化锌晶体的光学性质提供了重要的依据。计算结果与实验结果吻合得很好。  The electronic structure,dielectric function,complex reflectivity index and absorption spectra of the perfect ZnO crystal have been calculated using density functional theory code CASTEP.Generalized gradient approximations(GGA) are chosen for the theoretical basis of density function.The results have been discussed in detail.The peaks of the absorption spectra corresponding with which electronic transition have been studied.The calculated results provide the good basis for deeply understanding the optical properties of the ZnO single crystal.The calculated results are good agreement with the experimental results.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期784-788,共5页 Journal of Synthetic Crystals
基金 上海市教委重点学科项目资助(No.T0501)
关键词 氧化锌晶体 电子结构 光学性质 模拟计算 ZnO single crystal electronic structure optical properties simulation
  • 相关文献

参考文献14

  • 1Service R F.Will UV Laser Beat the Blues?[J].Science,1997,276:895-897.
  • 2张富春,邓周虎,阎军锋,王雪文,张志勇.Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算[J].功能材料,2005,36(8):1268-1272. 被引量:11
  • 3Petit L,Schulthess T C,Svane A,et al.Electronic Structure of Transition-metal Impurities in p-type ZnO[J].Phys.Rev.B,2006,73:045107.
  • 4Anderson Janotti,Chris G.Van de Walle.New Insights into the Role of Native Point Defects in ZnO[J].Journal of Crystal Growth,2006,287:58-65.
  • 5Sterera D P,Hofmanna D M,Sann J.Intrinsic and Extrinsic Point-defects in Vapor Transport Grown ZnO Bulk Crystals[J].Physica B,2006,376-377:767-770.
  • 6Sun J,Wang H T,He J L,et al.Ab Initio Investigations of Optical Properties of the High-pressure Phases of ZnO[J].Phys.Rev.B,2005,71:125132.
  • 7Yang X P,Chen J W,Jiang H,et al[J].Phys.Rev.B,2004,69:193401.
  • 8Wan J F,Wang J N[J].Physical B,2005,355:172-175.
  • 9张富春,邓周虎,阎军锋,允江妮,张志勇.Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算[J].电子元件与材料,2005,24(8):4-7. 被引量:10
  • 10Payne M C,Teter M P,Alan D C,et al[J].Rev.Mod.Phys.,1992,64:1045.

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