控通型雪崩光电二极管倍增因子的理论计算
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1罗德猷.拉通型雪崩光电二极管倍增因子的理论计算[J].有线通信技术,1989(4):20-25.
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2丁国庆.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性[J].光通信研究,1990(4):48-55. 被引量：1
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3陈婷,李斌.多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模[J].微电子学与计算机,2008,25(6):222-224. 被引量：1
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4万钧力,艾青,张雪皎.激光陀螺中雪崩光电管增益温度补偿[J].传感器与微系统,2007,26(7):18-20. 被引量：5
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5董可秀,赵先峰,欧美英.极化调控AlGaN基日盲紫外雪崩光电二极管性能优化[J].激光与光电子学进展,2014,51(6):178-183.
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6赵洪志,李乃吉,赵达尊.分布式光纤温度传感器APD最佳倍增因子的分析[J].光学技术,1995,21(5):20-23. 被引量：2
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7曹均凯,王国栋,李小兵,李连城,张伟.基于2．5 Gbit／s应用长波长雪崩光电二极管[J].深圳大学学报（理工版）,2007,24(1):69-74. 被引量：1
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8万钧力.雪崩光电管偏压控制电路的研制[J].三峡大学学报（人文社会科学版）,1997,20(3):69-72.
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9丁国庆.新型长波长、超高速雪崩光探测器结构与主要特性[J].光通信,2003(5):32-36.
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10丁国庆.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD室温下静态光电特性的研究[J].半导体技术,1992,8(5):38-43. 被引量：1
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