摘要
本文介绍光热位移光谱以及半导体GaTe的光热位移信号与调制频率之间的函数关系，这一复杂而特殊的关系可通过自由载流子的寿命和扩散效应去解释．
In this paper, the photothermal displacement spectroscopy and the photothermaldisplacement response of Ga Te as a function of frequency is presented, and the anomalies in thisbehaviour are interpreted in terms of free carrier lifetime and diffusion effects.
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第1期52-55,共4页
Acta Photonica Sinica
关键词
热扩散长度
光热位移光谱
带隙
碲化镓
Thermal diffusion
Photothermal displacement spectroscopy
Carrier lifetime
Band-gap
