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溅射功率对RF磁控溅射HfO_2薄膜介电特性的影响
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摘要
采用射频(RF)磁控溅射法在P型(100)Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性。结果显示:在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理论值25。
作者
赵云清
机构地区
北京科技大学应用学院物理系
出处
《科技咨询导报》
2007年第26期21-21,共1页
Science and Technology Consulting Herald
关键词
射频磁控溅射
介电特性
介电常数
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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