摘要
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
This paper presents the development of IGBT technology since the first IGBT concept has been introduced.h includes the new concept, new structure and relevant improvement of performance, such as transparent collector,field stop, trench gate,injection enhancement,all of these make up new products of NVF-IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT＋,CSTBT, IEGT, HiGT ect.
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第9期115-118,共4页
Power Electronics
基金
国家自然科学基金资助项目(60676049)~~
