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CMOS SRAM存储单元研究 被引量:1

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摘要 阐述了采用1.0μmCMOS技术制作的256kSRAM的存储单元。论述了存储单元的性能在CMOSSRAM中的重要性,分析了存储单元的工作原理、结构和主要参数性能。文章对几种类别的CMOSSRAM存储单元进行了分析比较。
作者 王万业
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期32-35,共4页 Semiconductor Technology
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