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日本藤仓公司开发高质量AlN单晶
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摘要
Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件,作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。
作者
杨晓婵(摘译)
出处
《现代材料动态》
2007年第9期8-8,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
ALN
单晶
化合物半导体材料
质量
开发
日本
高频元件
Ⅲ族氮化物
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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现代材料动态
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