CN200610050827．9纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法

本发明公开的纳米晶立方氮：化硼薄膜的制备方法，步骤如下：①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室，反应室真空度至少抽到10^-3Pa；②向反应室输入保护气体，加热衬底并控制其温度在300～1100℃，调节反应室压强到0．1～10Pa，在反应室中产生等离子体；③控制衬底偏压在0～250V，然后依次向反应室输入氮源，氯源和硼源，进行薄膜生长。