期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
溅射SiO_x薄膜氧含量与红外特性关系研究
被引量：
1
下载PDF
职称材料
导出
摘要
用反应溅射法制成了SiO2薄膜,研究其傅立叶变换红外吸收光谱图特性。Si—O—Si键的伸缩振动吸收峰和弯曲振动吸收峰分别位于1 100 f-1和600 f-1附近。结合XPS定量测试结果讨论了吸收峰与薄膜中氧含量的关系,目的用FTIR非破坏性快速方便预测SiOx薄膜的化学配比。
作者
王慧
刘静
机构地区
中国建筑材料科学研究总院石英重点实验室
出处
《陶瓷》
CAS
2007年第9期27-29,共3页
Ceramics
关键词
反应溅射法
SIO2薄膜
XPS
FTIR
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
5
共引文献
16
同被引文献
9
引证文献
1
二级引证文献
0
参考文献
5
1
唐卫中.薄膜材料制备原理、技术及应用.北京:冶金工业出版社,2003
2
左演生,陈文哲.材料现代分析方法.北京:北京工业大学出版社,2003
3
Lan W H.Infrared spectroscopic study of mercury-sensitized photo-CVD silicon oxide.Jap Apply Phys,1990,29(6):997 - 1003
4
何乐年.
等离子体气相沉积非晶SiO_2薄膜的特性研究[J]
.真空科学与技术,2000,20(4):247-251.
被引量：17
5
Galeener F L,Mikkelsen J C,Jr.The Raman spectra and structure of pure vitreous P2O5.Solid State Communications,1979,30(8):505 - 510
共引文献
16
1
金桂,周继承.
射频磁控溅射SiO_2薄膜的制备与性能研究[J]
.武汉理工大学学报,2006,28(8):12-15.
被引量：11
2
蓝芳,曹聪蕊,肖波,蒋晓东,袁晓东,江波.
甲基三乙氧基硅烷修饰的Ti^(3+)/SiO_2复合薄膜的发光性能[J]
.高等学校化学学报,2008,29(10):1921-1925.
3
金桂,蒋纯志,邓海明.
射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究[J]
.绝缘材料,2009,42(3):20-22.
4
金桂,黄小益,蒋纯志.
硅靶低温射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜的电击穿场强[J]
.真空与低温,2009,15(3):174-177.
被引量：1
5
张富,荣丽梅,袁之光,郭宇恒,周泳,杜江峰.
SiO_2薄膜致密性的表征[J]
.微电子学,2011,41(5):759-762.
被引量：6
6
张剑,陈文革,王艳丽,赵姗姗,卓磊.
等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析[J]
.兵器材料科学与工程,2012,35(4):53-57.
被引量：1
7
王陆一,蒋向东,李建国,石兵.
射频磁控溅射法制备液晶光阀光导层的研究[J]
.半导体光电,2012,33(6):822-825.
8
王陆一,蒋向东,石兵.
射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究[J]
.电子器件,2012,35(6):623-626.
9
何乐年.
等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(5):587-593.
被引量：2
10
何乐年,徐进,王德苗.
反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究[J]
.真空,2001(3):16-19.
被引量：6
同被引文献
9
1
张剑,陈文革.
直流磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其性能[J]
.中国表面工程,2013,26(1):34-39.
被引量：7
2
何乐年.
等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(5):587-593.
被引量：2
3
何乐年,徐进,王德苗.
反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究[J]
.真空,2001(3):16-19.
被引量：6
4
张劲松,任兆杏,梁荣庆,隋毅峰,刘卫.
ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用[J]
.核聚变与等离子体物理,2001,21(1):59-64.
被引量：6
5
许生,侯晓波,范垂祯,赵来,周海军,吴克坚,高文波,颜远全,查良镇.
硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究[J]
.真空,2001,38(5):1-6.
被引量：16
6
俞立宸,季鑫,高磊,顾雁豪,周晟吉.
SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展[J]
.上海工程技术大学学报,2019,33(3):215-218.
被引量：7
7
袁军平,陈绍兴,金莉莉,代司晖,郭礼健.
首饰基材表面反应磁控溅射SiO_(2)薄膜工艺[J]
.电镀与涂饰,2021,40(16):1244-1249.
被引量：3
8
张天栋,戚振飞,张昌海,冯宇,迟庆国,陈庆国.
基于氧化硅绝缘层改性的PMMA复合薄膜储能性能研究[J]
.中国电机工程学报,2022,42(7):2797-2804.
被引量：4
9
黄翀,李成,杨玮枫,欧阳艳东,吴永俊.
电容触摸屏ITO消影膜的设计与制备[J]
.光电子技术,2014,34(4):269-272.
被引量：5
引证文献
1
1
张汉焱,郑丹旭,沈奕,陈玉云.
中频磁控反应溅射氧化硅(SiO_(x))薄膜绝缘性的研究[J]
.真空,2023,60(2):34-38.
1
王铁山,陈亮,彭海波,程锐,向阳,王瑜玉,肖国青.
Sputtering Induced by Ar^q＋ Impact on Nb Surface[J]
.Chinese Physics Letters,2008,25(10):3643-3645.
被引量：1
2
李祥,翟斐斐,刘颖,曹茂盛,王富耻,张西祥.
Synthesis and photoluminescence study on ZnO nano-particles[J]
.Chinese Physics B,2007,16(9):2769-2772.
被引量：1
3
邓晓清,张仕国,樊瑞新.
纳米Si-SiO_x薄膜的发光[J]
.材料科学与工程,1998,16(2):24-26.
4
朱凤,赵坤,赵夔,王莉芳,全胜文.
氧分压对TiO_2膜结构与光学性质的影响[J]
.膜科学与技术,2002,22(3):29-34.
被引量：7
5
刘建,刘佳宇.
反应溅射氧化锌薄膜的结构特点及性质[J]
.发光学报,2006,27(6):927-932.
被引量：1
6
HUNDUR Yakup,GUVENC Ziya B,HIPPLER Rainer.
Dynamical Analysis of Sputtering at Threshold Energy Range： Modelling of Ar＋Ni（100） Collision System[J]
.Chinese Physics Letters,2008,25(2):730-733.
被引量：1
7
郑代顺,马云贵,魏福林,杨正.
添加Ta对Fe-N薄膜结构和磁性的影响[J]
.磁性材料及器件,2001,32(6):4-8.
被引量：1
8
张晓丹,高艳涛,赵颖,朱锋,魏长春,孙建,侯国付,薛俊明,张德坤,任慧志,耿新华,熊绍珍.
VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析[J]
.人工晶体学报,2005,34(1):56-59.
被引量：6
9
朋兴平,杨扬,耿伟刚,杨映虎,王印月.
蓝光ZnO薄膜的特性研究[J]
.发光学报,2005,26(4):531-534.
被引量：3
10
刘建,李晓慧.
离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究[J]
.真空科学与技术学报,2004,24(6):430-433.
被引量：4
陶瓷
2007年 第9期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
