摘要
在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。
The effects of various pre-deposition surface treatments such as NO-annealed, N2O-annealed and O2+trichloroethylene (TCE) on the interfaces properties are investigated. The TCE technique is superior to the others because the dielectric subject to TCE surface treatments possesses a tremendously reduced interface-state density and effective oxide thickness.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期305-308,共4页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金(60376019)
湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目