新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法

本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法,其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R^1、R^7表示低级烷基，R^2、R^8、R^12及R^13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R^12的数目，为0～5，n^1、n^2、n^3分别表示取代基R^2、R^8和R^13的个数，为0～4、R^3～R^6、R^9～R^11、R^14和R^15表示氢、低级烷基等（其中排除特定取代基的组合）。