集成压控晶振的射频合成器

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摘要 STW81103在单片射频合成器中相噪性能最为出色，在1．16GHz下，相噪达到0．27°RMS（均方根）;在2．33GHz下，达到0．6°RMS；在4．67GHz下，达到1．5°RMS，频率阶跃200kHz。除高达5GHz的宽频带范围外，因为具有自动中心频率校准功能，STW81103的嵌入式压控晶振为用户提供了出色的多频带性能。因为一个器件就能把频带分为625～762．5MHz、

出处《今日电子》 2007年第10期108-108,共1页 Electronic Products

关键词压控晶振合成器射频集成中心频率 RMS 校准功能宽频带

分类号 TN752.2 [电子电信—电路与系统]

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1崔健永,宋科达.甚高频低位相位噪声压控晶体振荡器研制综述[J].电光系统,2001(2):43-43.
2王本兴.超小型压控晶体振荡器[J].压电晶体技术,1994(1):50-56.
3赵晨,钱玮.利用双压控晶振降低锁相环中的相位噪声[J].通信与广播电视,2012(3):52-57.
4高尚志.小型铯原子钟用压控晶振的研制[J].压电晶体技术,1989(1):31-36.
5采用三色LED光源技术——Digital Projection LED HD-1000[J].家庭影院技术,2009(8):4-4.
6德州仪器针对无线局端应用推出新型的射频合成器[J].电子与电脑,2005(11):145-145.
7李肖刚.改善高频宽压控晶振频率温度稳定性方法[J].中国科技纵横,2016,0(7):75-75.
8李兆荣,陈松涛,魏燕婷.一种5MHz～20GHz低相位噪声频率源的研制[J].通信与广播电视,2011(1):37-44.
9李兆荣,陈松涛,魏燕婷.5MHz～20GHz低相位噪声频率源的研制[J].环境技术,2011,29(5):49-53. 被引量：1
10杨瑞祯.超高频宽带线性压控晶振的实现方法[J].电光系统,1999(4):55-58.

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