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超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

Superbright InGaN single-quantum-well blue LED
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摘要 介绍了InGaN单量子阱超高亮度蓝色LED的结构和性能,其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为20mA时,分别为8cd、450nm和25nm。 This paper reports configurations and properties of InGaN single-quantum-well (SQW) superbright blue LED whose luminous intensity at forward current of 20 mA is about 8 cd with the peak wavelength of 450 nm and the full width at half-maximum of 25 nm.
作者 方志烈
机构地区 复旦大学
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期89-91,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 发光二极管 铟镓氮 单量子阱 蓝色发光二极管 LED,InGaN,SQW,Blue LED
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参考文献1

  • 1方志烈,半导体发光材料和器件,1992年,119页

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