摘要
介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于100dB的高隔离C波段PIN调制器,讨论了隔离度与PIN管级数及腔体结构的关系,提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为:f=5.4~5.8GHz,插损<3.0dB,隔离度>100dB,上升沿、下降沿时间<60ns。
This paper introduces a high isolation C band PIN modulator with I SO >100dB by HIC process.The dependence of isolation on PIN diodes level and antrum style is discussed,and the key ways to highten the isolation is provided.the PIN modulators main technical figures are f=5 4~5 8GHz, IL <3 0dB I SO >100dB,t r、t f<60ns
出处
《半导体情报》
1997年第3期35-37,共3页
Semiconductor Information