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PVD衬垫扩展到45nm互连
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摘要
来自IBM、Infmeon和AMD的工程师们的最新研究结果证实,在45nm节点,非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠陛,特别是当衬垫(1iner)工艺被合理地加以应用时。Infineon的工程师Armin Fischer及其同事们在近期于Phoenix举行的国际可靠性物理研讨会(IRPS)上报告了他们的发现。
作者
Laura Peters
机构地区
Semiconductor International
出处
《集成电路应用》
2007年第9期31-31,共1页
Application of IC
关键词
PVD
衬垫
PHOENIX
互连
工程师
IBM
AMD
阻挡层
分类号
TP393.092 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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