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PVD衬垫扩展到45nm互连

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摘要 来自IBM、Infmeon和AMD的工程师们的最新研究结果证实,在45nm节点,非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠陛,特别是当衬垫(1iner)工艺被合理地加以应用时。Infineon的工程师Armin Fischer及其同事们在近期于Phoenix举行的国际可靠性物理研讨会(IRPS)上报告了他们的发现。
作者 Laura Peters
出处 《集成电路应用》 2007年第9期31-31,共1页 Application of IC
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