摘要
随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸,高压LCD驱动日渐受到市场的关注,但高电压(40V以上)的工艺在国内基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺:锑注入,外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物接触孔等。另外,由于成本的控制以及保证相当的市场竞争力,该套工艺开发的掩膜版层数是相当的少,仅有16层,这就给器件的调整带来了极大的复杂度和难度,一次器件的调整往往同时影响好几种器件,顾此失彼。同时基于良率的考虑,我们将主要精力集中在这些关键工艺的开发和器件的调整,最终通过所有的验证,并达到了99%的良率。
出处
《集成电路应用》
2007年第9期43-46,共4页
Application of IC