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降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展 被引量：4

Progress in the Research of R_(ON) for power MOSFET
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摘要 本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。 The progress in the research of for power MOSFET is introduced. These progresses that mostly focus on breaking the limit line of silicon and decrease of are described in detail and analyzed. In the end, some other new thoughts about are also presented.
作者 黄淮 吴郁 亢宝位
机构地区 北京工业大学
出处 《电力电子》 2007年第4期13-18,共6页 Power Electronics
关键词 MOSFET 导通电阻 COOLMOSFET SUPERJUNCTION RESURE FLIMOSFET Super 3D MOSFET On-resistance COOLMOSFET SuperJunction RESURE FLIMOSFET Super 3D
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献42

  • 1柯导明,陈军宁,时龙兴,孙伟锋,吴秀龙,柯宜京.高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):20-22. 被引量：3
  • 2Lorenz L.Trends in power integration state-of-the art and future[A].PCIM[C].Shanghai,China.2002.1-15.
  • 3Baliga B J.Modern Power Device[M].New York:John Wiley & Sons,1987.269-276.
  • 4Laska T.The Field stop IGBT-a new power device concept with a great improvement potential[A].ISPSD[C].Toulouse,France,2000.355-358.
  • 5Fujihira T.Theory of semiconductor superjunction devices[J].Jpn J Appl Phys,1997,36(10):6254-6262.
  • 6Deboy G.A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit of silicon[A].Proc IEDM[C].San Francisco,CA,USA.1998.683-685.
  • 7Lorenz L.COOLMOS-a new milestone in high voltage power MOS[A].ISPSD[C].Toronto,Canada.1999.3-10.
  • 8Coe D J.High voltage semiconductor device[P].US Patent 4,754,310.1988.
  • 9Chen X-B.Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions[P].US Patent 5,216,275 (1993); Chinese Invent Patent:91101845.X,1991.
  • 10Tihanyi J.Power MOSFET[P].US Patent 5,438,215,1995.

共引文献8

同被引文献31

  • 1姚丰,何杞鑫,方邵华.一种新型低压功率MOSFET结构分析[J].半导体技术,2005,30(11):53-56. 被引量：6
  • 2王洪岩,王中文.UDMOSFET特征导通电阻物理模型[J].辽宁大学学报（自然科学版）,2006,33(1):46-48. 被引量：1
  • 3陈龙,沈克强.VDMOS场效应晶体管的研究与进展[J].电子器件,2006,29(1):290-295. 被引量：18
  • 4苏延芬,刘英坤.Trench MOSFET的研究与进展[J].半导体技术,2007,32(4):277-280. 被引量：12
  • 5HIDEFUMI T, KYOSUKE M, KIMIMORI H, et al. Floating island and thick bottom oxide trench gate MOSFET (FITMOS) - a 60 V ultra low on-resistance novel MOSFET with superior internal body diode[ C]/f Proc 17 Int Syrup Power Semicond Dev & IC' s. Santa Barbara: CA, 2005 : 43-46.
  • 6VAN DEN HEUVEL M G L, HUETING R J E, HIJZEN E A, et al. Improved method for determining inversion layer mobility of electrons in trench MOSFETs[J]. IEEE Proc Circ Dev Syst, 2004, 151 (3) : 225-230.
  • 7KIM J, KIM S G, ROH T M, et al. High-density trench gate DMOSFETS with trench contact structure[ J]. Elec Lett, 2004, 40(11) : 699-700.
  • 8ALVES S. Verticla N-chnnel FLIMOSFETs for Future 12 V/42 V dual batteries automotive applications[ C ] ,//ISPSD' 2003. Cambridge: Marcel Dekker, 2003 : 308-311.
  • 9SODHI R. High-density ultra-low Rdson 30 Volt N-channel trench FETs for DC/DC converter applications [ C ]//ISPSD'99. Toronto, Ont: Hindawi, 1999: 307-310.
  • 10BAI Y. Novel automated optimization of power MOSFET for 12 V input, high-frequency DC/DC converter[ C]//'ISPSD'2003. Cambridge: Marcel Dekker, 2003 : 366-369.

引证文献4

二级引证文献3

电力电子
2007年 第4期

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