IGBT在改进H型桥式功率放大电路中的应用

IGBT是在MOSFET的基础上发展而成的,它兼有MOSFET和双极型电力晶体管的优点。图1为IGBT的等效电路。可看作是一个栅极为MOS结构的晶体管。所以,在导通后的IGBT管里,既有MOSFET机制的电流分量Imos,又有双极型晶体管机制的电流分量Ib,实际流过IGBT管的电流Ic=Imos+Ib,由于Ib的存在,IGBT管的允许电流密度是VDMOS管的几十倍。