发光二极管

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摘要发光二极管结构;长余辉发光二极管;LED管芯的基底;倒装芯片氮化物;

出处《中国照明电器光源灯具文摘》 2007年第4期52-53,共2页

关键词发光二极管倒装芯片发光效率 LED 管结构长余辉氮化物

1沈燕,吕启超.LED显示屏应用概述[J].中国新技术新产品,2008(14):3-3. 被引量：2
2ALGalnp橙黄光高高度LED外延片及LED管芯[J].科技风,2002(2):12-12.
3莫春兰,方文卿,刘和初,周毛兴,江风益.硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制[J].高技术通讯,2005,15(5):58-61. 被引量：9
4姜西娟,张思璐,张方辉.红色磷光材料R-4B对白光LED性能的影响[J].陕西科技大学学报（自然科学版）,2014,32(4):53-56. 被引量：1
5田咏桃,仉志华,郭伟玲,沈光地.隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的计算[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):80-84.
6彭辉.基于EMAC的LED管芯高速分选机控制系统研究[J].娄底职业技术学院学报（职教与经济研究）,2010,8(2):53-57.
7岳明晶,陈宇,苗静,郑喜凤.基于色谱测量LED显示屏白场偏差分析[J].光机电信息,2011,28(8):45-50. 被引量：2
8李忠辉,杨志坚,于彤军,胡晓东,杨华,陆曙,任谦,金春来,章蓓,张国义.MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED[J].发光学报,2003,24(1):107-109. 被引量：9
9范应娟,张方辉,张思璐,牟强.红色磷光材料Ir(hpiq)_3对白光LED显色性能的影响[J].光电子．激光,2015,26(1):25-29. 被引量：2
10刘英斌,林琳,陈宏泰,袁凤坡,李云.670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长[J].微纳电子技术,2010,47(2):85-88.

中国照明电器光源灯具文摘

2007年第4期

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