具有电隔离、线"或"能力和改善噪声容限的I^2C接口
摘要
本设计实例描述了一种简单而有效的方法为连接在I2C总线上的设备提供光隔离(图1)。这个电路改进了早期的版本。(参考文献1)。 SDA和SCL处在I^2C总线的主区域。SDA1和SCL1在从设备区域。可以很容易对时钟线路进行光隔离,因为它具有从主设备到从设备的单向性。Q3是P沟道MOSFET.它为快速光耦合器IC2的LED提供电流,缓冲时钟线路。
参考文献2
-
1N g u y e n,M i n h-T a m,andMartinBaumbach.“ Two-wireinterfacehasgalvanicisolation”[].European Documentary Network.1999
-
2Blozis,Steve.“ Opto-electricalisolationoftheI2C-Bus”[].EmbeddedSystemsDesign.2004
-
1江建慧,胡谋.安全逻辑器件与CMOS B/T逻辑电路及其噪声容限[J].计算机研究与发展,1993,30(5):55-61. 被引量:2
-
2邓小河.删除指定长度的文件[J].电脑编程技巧与维护,1998(12):8-9.
-
3李颂,孟坚.一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计[J].电脑知识与技术,2015,0(6):254-256.
-
4陈兴心.我的电脑这样关[J].无线电,2003(12):32-32.
-
5Sandeep Dhariwal,Sushma,Vipin Gupta,Ritu Vijay,Vijay Lamba.A Comparative Study & Performance Analysis of SRAM Cells with Symmetric & Asymmetric Configuration[J].通讯和计算机(中英文版),2011,8(4):313-317.
-
6CatherineRedmond AnalogDevicesLimerick Ireland.具有故障保护功能的数据采集系统[J].电子设计技术 EDN CHINA,2004,11(8):93-94.
-
7王新安.过程控制计算机工程设计中逻辑器件的选用[J].计算机技术与发展,1992,14(1):38-42.
-
8徐庆光,温亮,李振涛.65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计[J].计算机研究与发展,2012,49(S1):63-67.
-
9BAI Na,WU Xiulong,YANG Jun,SHI Longxing.A Robust High Density 7T SRAM Bitcell for Subthreshold Applications[J].Chinese Journal of Electronics,2011,20(2):243-246.
-
10高速数字系统中的信号完整性调试[J].电子产品世界,2005,12(11A):52-58. 被引量:1