摘要
比较了运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下性能的变化，并对Ｘ射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）的范围为３．４～１２．３。ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下的主要失效模式。
Character change of operational amplifiers was compared in X and γ radiation enviroments. Dose enhancement effect ofX- and γ- radiation was studied to operational amplifiers.Relative dose enhancement factors (RDEF) measured are about 3.4～ 12.4 in the experiment. SiO 2/Si interface trapped hole charges and interfacestates are main failure model of operationalamplifiers in X and γ radiation enviroments.
出处
《辐射研究与辐射工艺学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期80-85,共6页
Journal of Radiation Research and Radiation Processing
基金
国家科工委基金
关键词
运算放大器
X射线
Γ射线
辐射损伤
剂量
Operational amplifier, X ray, γ ray, Radiation damage, Dose enhancement effect
