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韩国首次成功研制60纳米级2GBDRAM闪存
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摘要
韩三星电子世界上首次成功研发出60纳米级容量为2GB的DDR2DRAM。据称,这是每秒能处理约7—8个月报纸文字数据的内存芯片,预计将成为主导下一代DRAM市场的主力产品。三星电子计划不久后开始批量生产该产品。
出处
《纳米科技》
2007年第5期72-72,共1页
关键词
纳米级
闪存
韩国
三星电子
电子世界
内存芯片
文字数据
DRAM
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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